Производитель заявляет, что в основе новых процессоров Intel больше не будет транзистора FinFET, а на замену придет полупроводник SuperFin. Возможно, это не революция в масштабе раннего отказа от планарных транзисторов, но это видимое изменение.
Технология SuperFin сочетает в себе устаревший FinFET, транзистор затвора с каналом тока с двух или более сторон, с металлическим изолирующим металлическим конденсатором (MIM). Это, в свою очередь, тип конденсатора, который содержит изолятор из нитрида кремния между двумя электродами. Его преимущества — независимость емкости от напряжения и большая линейность, чем в случае классических решений.
Intel может похвастаться тем, что ей удалось снизить сопротивление транзистора примерно на 30 процентов, увеличив при этом емкость конденсаторов на затворах примерно в 5 раз. По словам производителя, в результате достигается более высокая эффективность межсоединений, чем раньше, с видимым уменьшением падений напряжения и, следовательно, улучшенная производительность системы на высоких частотах.
Вероятно, следуя этому пути, исток и сток были подняты, чтобы пропускать более высокие токи в канале. Это следующий шаг на пути к высоким частотам, хотя следует отметить, что он может включать увеличение необходимого напряжения питания по сравнению с FinFET.
Как будто рядом с новыми транзисторами появилась новая технология соединения слоев микросхемы, называемая гибридным соединением. Предполагается, что минимизация зазоров отличается от обычно применяемой термокомпрессионной сварки. По официальным данным, они упадут ниже 10 мкм, т.е. сетка должна быть более плотной и иметь повышенную пропускную способность.
Первым поколением систем с новыми решениями будет Tiger Lake, которое мы увидим до конца 2020 года. Они изготовлены по усовершенствованному 10 нм литографическому процессу, чтобы заменить прошлогоднее Ice Lake. Их основная область — это ядра ранее неизвестной микроархитектуры Willow Cove, а также графика Gen 12, идентичная разрабатываемым dGPU.
Помимо эффективных ядер с высокой тактовой частотой и графического макета с 96 исполнительными модулями (EU), существует широкий спектр различных вариантов. Среди прочего: улучшенное масштабирование напряжения, новый контроллер памяти, поддерживающий модули LP4x-4267, DDR4-3200 и LP5-5400, или специальный сопроцессор для работы в нейронных сетях — Gaussian Network Accelerator (GNA) 2.0. Но также поддержка PCIe 4.0, TB4 и USB4, а также встроенный сигнальный процессор для камеры и поддержки камеры, поддерживающий до шести датчиков 4K30 для видео и 27 Мпикс для фотографий и обработки материалов, соответственно, 4K90 и 42 Мпикс.
Останавливаться на достигнутом Intel не планирует. В следующем году компания собирается продолжить работу над SuperFin и внедрить новые усовершенствования.
Технология SuperFin сочетает в себе устаревший FinFET, транзистор затвора с каналом тока с двух или более сторон, с металлическим изолирующим металлическим конденсатором (MIM). Это, в свою очередь, тип конденсатора, который содержит изолятор из нитрида кремния между двумя электродами. Его преимущества — независимость емкости от напряжения и большая линейность, чем в случае классических решений.
Intel может похвастаться тем, что ей удалось снизить сопротивление транзистора примерно на 30 процентов, увеличив при этом емкость конденсаторов на затворах примерно в 5 раз. По словам производителя, в результате достигается более высокая эффективность межсоединений, чем раньше, с видимым уменьшением падений напряжения и, следовательно, улучшенная производительность системы на высоких частотах.
Вероятно, следуя этому пути, исток и сток были подняты, чтобы пропускать более высокие токи в канале. Это следующий шаг на пути к высоким частотам, хотя следует отметить, что он может включать увеличение необходимого напряжения питания по сравнению с FinFET.
Как будто рядом с новыми транзисторами появилась новая технология соединения слоев микросхемы, называемая гибридным соединением. Предполагается, что минимизация зазоров отличается от обычно применяемой термокомпрессионной сварки. По официальным данным, они упадут ниже 10 мкм, т.е. сетка должна быть более плотной и иметь повышенную пропускную способность.
Первым поколением систем с новыми решениями будет Tiger Lake, которое мы увидим до конца 2020 года. Они изготовлены по усовершенствованному 10 нм литографическому процессу, чтобы заменить прошлогоднее Ice Lake. Их основная область — это ядра ранее неизвестной микроархитектуры Willow Cove, а также графика Gen 12, идентичная разрабатываемым dGPU.
Помимо эффективных ядер с высокой тактовой частотой и графического макета с 96 исполнительными модулями (EU), существует широкий спектр различных вариантов. Среди прочего: улучшенное масштабирование напряжения, новый контроллер памяти, поддерживающий модули LP4x-4267, DDR4-3200 и LP5-5400, или специальный сопроцессор для работы в нейронных сетях — Gaussian Network Accelerator (GNA) 2.0. Но также поддержка PCIe 4.0, TB4 и USB4, а также встроенный сигнальный процессор для камеры и поддержки камеры, поддерживающий до шести датчиков 4K30 для видео и 27 Мпикс для фотографий и обработки материалов, соответственно, 4K90 и 42 Мпикс.
Останавливаться на достигнутом Intel не планирует. В следующем году компания собирается продолжить работу над SuperFin и внедрить новые усовершенствования.