Samsung Electronics анонсировала следующее поколение модулей флеш-памяти объемом 64 Гб с использованием 10-нм технологического процесса. Новая NAND-память ушла в производство в конце прошлого месяца.
Серия встроенных мультимедиа карт EMMC Pro Class 2000 предназначена для использования в передовых смартфонах, планшетах и прочих мобильных устройствах. Чипы по производительности на 30% превосходят предыдущие EMMC Pro Class 1500, которые были основаны на интерфейсе EMMC4.5.
Новый высокоскоростной модуль EMMC будет представлен JEDEC в следующем году для принятия в качестве отраслевого стандарта.
Память имеет произвольную скорость записи до 2000 IOPS, а произвольная скорость чтения составляет 5000 IOPS. Кроме того, последовательные скорости чтения/записи составляют 260 МБ/с и 50 МБ/с соответственно, что до 10 раз быстрее аналогичных показателей Class 10 внешних карт памяти (чтение — 24 МБ/с, запись — 12 МБ/с). Несомненно, такое повышение производительности чипов крайне положительно скажется на работе мобильных гаджетов в условиях многозадачности.
Размеры нового накопителя удалось сократить на 20%: габаритные размеры модуля составляют 11,5x13 мм, против ранее использовавшегося форм-фактора 12x16 мм.
Серия встроенных мультимедиа карт EMMC Pro Class 2000 предназначена для использования в передовых смартфонах, планшетах и прочих мобильных устройствах. Чипы по производительности на 30% превосходят предыдущие EMMC Pro Class 1500, которые были основаны на интерфейсе EMMC4.5.
Новый высокоскоростной модуль EMMC будет представлен JEDEC в следующем году для принятия в качестве отраслевого стандарта.
Память имеет произвольную скорость записи до 2000 IOPS, а произвольная скорость чтения составляет 5000 IOPS. Кроме того, последовательные скорости чтения/записи составляют 260 МБ/с и 50 МБ/с соответственно, что до 10 раз быстрее аналогичных показателей Class 10 внешних карт памяти (чтение — 24 МБ/с, запись — 12 МБ/с). Несомненно, такое повышение производительности чипов крайне положительно скажется на работе мобильных гаджетов в условиях многозадачности.
Размеры нового накопителя удалось сократить на 20%: габаритные размеры модуля составляют 11,5x13 мм, против ранее использовавшегося форм-фактора 12x16 мм.
