Южнокорейская компания SK hynix, будучи лидером в поставках микросхем памяти HBM, до недавнего времени имела эксклюзивные права на обеспечение ускорителей NVIDIA для систем искусственного интеллекта (ИИ). По последним данным, планы поставок микросхем HBM3 и HBM3E у компании полностью запланированы до конца 2024 года.
Согласно сообщениям южнокорейских СМИ, которые цитирует DigiTimes, все объемы производства микросхем HBM3 и HBM3E уже распределены между клиентами. SK hynix планирует увеличивать производство этой памяти на 60-80% каждый год в течение следующих пяти лет, ожидая, что количество серверов, используемых в системах ИИ и оснащенных памятью HBM, увеличится ежегодно на 40%.
Компания также собирается фокусироваться на увеличении доли высокодоходных продуктов, таких как микросхемы памяти DDR5, в то время как планируется сократить выпуск памяти DDR4. В этом квартале также ожидается сокращение объемов производства флеш-памяти NAND на 10% из-за избытка товаров на складах. Благодаря фокусировке на более доходные виды памяти, SK hynix смогла увеличить среднюю цену продажи DRAM на 10% и объемы поставок на 20% в третьем квартале, вернувшись к прибыльности после двух убыточных кварталов.
При этом общая выручка компании до сих пор падает, хотя этот процесс и замедлился: по сравнению с 3 кварталом прошлого года, в этом году сокращение составило всего 17%. Аналитики ожидали выручку в размере $6 млрд, однако фактическая выручка составила $6,7 млрд. Операционные убытки компании составили $1,32 млрд, что немного превышает ожидания в $1,25 млрд. Сегмент DRAM памяти компании вернулся к прибыльности после двух убыточных кварталов, и даже бизнес по производству NAND памяти показывает признаки улучшения.
Массовые поставки начнутся в следующем году, в настоящее время идёт процесс сертификации для NVIDIA, так как HBM3E-память используется в производстве таких ускорителей, как NVIDIA H100, спрос на которые сейчас зашкаливает из-за бума нейросетей.
Отметим, что ранее Micron Technology заявила о создании HBM3E памяти с передачей данных свыше 1,2 Тб/с, что позиционировалось как прямая конкуренция с SK hynix.
Первые данные о HBM3E были представлены компанией SK hynix в конце мая этого года. Это обновлённая версия памяти HBM3, разработанная для более высоких частот, чем у текущего HBM3, хотя конкретные цели частоты, по-видимому, зависят от производителя. На релизе технологии SK hynix раскрыла, что их модули памяти HBM3E смогут достигать скоростей передачи данных до 9 GT/сек, что соответствует пиковой пропускной способности 1.15 ТБ/сек для одного блока памяти.
