По 17 задаче: выглядит так, что все, кто попробовал - справились. Ответы на вопросы - ниже.
Скрытый текст
"чем отличаются транзисторы с «S» от обычных(?)" - ничем, я просто привык кодировать назначение вспомогательных транзисторов. S - это ключи. "чему равно Vref" - это не важно, оно будет просто параметром в уравнении задержки "Если не брать в расчёт N1-C1 (неизвестно Vref)" - Vref ограничивает напряжение, до которого заряжается С1. Это нужно для того, чтобы прекратить зарядку относительно далеко от порога переключения и не создавать большой сквозной ток на долгое время.
"Меня немного сбило обозначение P и N типов транзисторов и их подписи. В привычном мне варианте стрелки обозначаются наоборот для таких типов N и P." - стрелки ставят в другую сторону, если на символе есть отдельный четвертый вывод. Если вывода три, то стрелка ставится в другую сторону.
С китайским литографом на 28 нм такая история, что он пять лет находится в статусе "через полгода будет готов", так что я не вижу решительно никаких причин считать, что Китай реально близок к тому, чтобы догнать ASML, до того, пока не появятся какие-то конкретные новости без будущего времени в тексте. Сегодняшний уровень суверенной китайской литографии - это проблемные 90 нм.
Пока IBM и Google соревнуются за количество кубитов и пытаются как-то найти способ увеличить их до полезной величины, Microsoft пошли другим путем и пытаются создать топологический квнатовый компьютер. Если у них это получится, они обойдут всех на повороте и унесутся за горизонт. Но пока попытки, мягко говоря, не внушают доверия. Из года в год они публикуют результаты про открытие и изучение этих самых Майорановских фермионов в самых престижных журналах. Из года в год в этих результатах находят ошибки, неверную статистику и прямой подлог и статьи отзываются (таких статей уже набралось не одна и не две, можно вот тут эпичный тред посмотреть). Т.к. это майкрософт, публиковать данные они отказываются (NDA и все такое) и верифицировать никак не получается.
В том, что транзисторы проектируют так, чтобы добиться именно этого эффекта. Транзистор в общем случае - управляемый источник тока, не зависящего от напряжения на коллекторе. Технически это реализовано так, что носители заряда пролетают через тонкую базу, не задерживаясь, как только поле в переходе база-коллектор (определяемое напряжением на коллекторе) достаточно велико. Насколько именно оно велико - в первом приближении не очень важно.
Я классифицирую то, что нужно сделать для прецизионного управления временем зарядки конденсаторов в такой схеме, как "существенное усложнение схемотехники" (которое ещё и потребление сильно увеличит). Сводить тайминги в такой конструкции врагу не пожелаешь.
Искренне надеюсь, что у вас в итоге получится, но к "куда уж проще" ваш подход не имеет никакого отношения, по этим граблям с конденсаторами уже пришлось какое-то количество желающих.
Так почему же никто из них не производит "Эльбрусы"? Что-то случилось?
конгрессе не дураки сидят, придумают как спасти производство и без внешних заказов.
Весь рынок российских госструктур на пять лет вперед — это в лучшем случае пара недель работы одной фабрики. Ради таких объемов американскому конгрессу вряд ли стоит даже начинать какие-то разговоры.
Покажете эти несложные решения? А то я все больше вижу или многоступенчатую термокомпенсацию, или сложную и энергоемкую запись мемристоров в несколько приемов - и это самое простое, что люди делают, когда хотят больше 4-5 бит.
Вы совершенно точно не транслируете мнение экспертов. Просто потому, что в вашей трансляции очень много фактических ошибок. Вы, видимо, послушали экспертов, ничего не поняли и на основе случайных ключевых слов и выхваченных из контекста фактов придумали себе какую-то картину мира, имеющую мало общего с реальностью.
Cerebras - неплохая и интересная компания, но она как минимум одна из многих, а как максимум - совершенно не угрожает бизнесу Nvidia. Можете ради интереса поинтересоваться судьбой предыдущих убийц Nvidia в лице Graphcore.
Четвёртый элемент в третьем ряду на рис.15 отмечен правильно.
Все резисторы в наборе имеют топологию с центральной симметрией для уменьшения влияния внешних факторов. Если мы решили, что самый маленький резистор будет нарисован как один единичный элемент, то мы должны хотя бы расположить его близко к центру. Дальше симметричный ему элемент останется неиспользованным (поэтому он и помечен как D). Более хорошо было бы сделать в массиве больше элементов и использовать для самого маленького резистора два элемента, а не один; но это не всегда возможно из-за ограничений по площади, и я решил показать в статье интересный, как мне кажется, кейс с дыркой посреди массива.
Это очень крутая лекция, могу рекомендовать! Все, что нужно, и при этом понятно, бодро и доходчиво. Там больше часа времени, поэтому на видео очень много важных и интересных деталей, которые в мой текст не уместились (например, про направление тока в согласованных структурах).
Вот не знал, что частоты работы DC/DC конвертеров ограничены параметрами резисторов, всегда считал что они зависят а) от параметров силовых транзисторов (их скорости переключения) и б) от характеристик тех самых внешних катушек.
Я не говорил, что это от резисторов зависит. Я просто привел пример того, как можно улучшить "разработанное 30 - 50 лет назад".
Гораздо больше можно наловить переходя от простых микросхем, к решениям с большей степенью интеграции, типа PMIC
С технической точки зрения абсолютно так. С экономической - заказчики решают, что именно им нужно. Иногда, например, они хотят pin-to-pin заместить уже существующие чипы с улучшением параметров, а не перепроектировать всю систему, потому что мне кажется, что надо увеличить степень интеграции.
на заводе, прошивается код,
Вам правда никогда не приходилось делать проекты на техпроцессах без NVM? Вы счастливый человек!
По моим понятиям, все самые простые чипы разработаны 30 - 50 лет назад, и изготавливаются в огромных количествах нашими китайскими друзьями. И тут ловить нечего.
Там можно наловить например сокращение собственного потребления на порядок, другие рабочие диапазоны напряжений и много чего еще полезного. Скажем, для DC/DC конвертеров разного рода можно наловить умение работать на более высоких частотах и, как следствие, с более дешевыми и компактными катушками.
Т.е. подстраиваться будут не сами резисторы, а значение напряжения на выходе этой лестницы.
А если оно должно быть фиксированным? Но да, есть такой прием, когда для генерации опорного напряжения используется контроллируемый источник тока и неточный резистор, дальше ток источника размножается зеркалами и разводится по кристаллу, преобразуясь в напряжение на резисторах, идентичных исходному. Это компенсирует ТКС.
Совершенно не всегда решение именно такое. Существует множество процессов без NVM/OTP, существует желание менеджмента сэкономить на OTP или на стоимости прошивки при производстве. Я бы даже сказал, что для большинства небольших дешевых чипов подстройка с OTP неприемлемо дорогая. А еще есть, например, не упомянутая в статье автокалибровка при стартапе чипа или мониторы PVT, регулирующие подстройку в реальном времени.
Ну и, разумеется, никто не будет пытаться подстраивать, скажем, резисторы в R2R-матрице, в нее ключи подстройки внесут больше погрешности, чем исправят.
По 17 задаче: выглядит так, что все, кто попробовал - справились.
Ответы на вопросы - ниже.
Скрытый текст
"чем отличаются транзисторы с «S» от обычных(?)" - ничем, я просто привык кодировать назначение вспомогательных транзисторов. S - это ключи.
"чему равно Vref" - это не важно, оно будет просто параметром в уравнении задержки
"Если не брать в расчёт N1-C1 (неизвестно Vref)" - Vref ограничивает напряжение, до которого заряжается С1. Это нужно для того, чтобы прекратить зарядку относительно далеко от порога переключения и не создавать большой сквозной ток на долгое время.
"Меня немного сбило обозначение P и N типов транзисторов и их подписи. В привычном мне варианте стрелки обозначаются наоборот для таких типов N и P." - стрелки ставят в другую сторону, если на символе есть отдельный четвертый вывод. Если вывода три, то стрелка ставится в другую сторону.
А что за "новые реалии"? Они как-то связаны с тем, что сегодня день дурака?
С китайским литографом на 28 нм такая история, что он пять лет находится в статусе "через полгода будет готов", так что я не вижу решительно никаких причин считать, что Китай реально близок к тому, чтобы догнать ASML, до того, пока не появятся какие-то конкретные новости без будущего времени в тексте. Сегодняшний уровень суверенной китайской литографии - это проблемные 90 нм.
Разбор от специалиста выглядит крайне печально.
Лично я выйду из зума через пять минут и из офиса через десять. Если в компании с самого начала не уважают тебя и твое время, такая компания не нужна.
В том, что транзисторы проектируют так, чтобы добиться именно этого эффекта. Транзистор в общем случае - управляемый источник тока, не зависящего от напряжения на коллекторе. Технически это реализовано так, что носители заряда пролетают через тонкую базу, не задерживаясь, как только поле в переходе база-коллектор (определяемое напряжением на коллекторе) достаточно велико. Насколько именно оно велико - в первом приближении не очень важно.
Я классифицирую то, что нужно сделать для прецизионного управления временем зарядки конденсаторов в такой схеме, как "существенное усложнение схемотехники" (которое ещё и потребление сильно увеличит). Сводить тайминги в такой конструкции врагу не пожелаешь.
Искренне надеюсь, что у вас в итоге получится, но к "куда уж проще" ваш подход не имеет никакого отношения, по этим граблям с конденсаторами уже пришлось какое-то количество желающих.
Картинка для 12 вопроса. Количество инверторов (или других задержек) в цепях обратной связи определяет время между фазами.
Копирование началось раньше. В 1981 году оно стало единственным методом.
Так почему же никто из них не производит "Эльбрусы"? Что-то случилось?
Весь рынок российских госструктур на пять лет вперед — это в лучшем случае пара недель работы одной фабрики. Ради таких объемов американскому конгрессу вряд ли стоит даже начинать какие-то разговоры.
А что случилось?
У Китая и GF нет нужных норм, а фабрики Intel сейчас еще менее доступны для россйийской компании под санкциями, чем TSMC.
Они всегда производились исключительно на Тайване. Из других вариантов с требуемыми им проектными нормами только Южная Корея.
Покажете эти несложные решения? А то я все больше вижу или многоступенчатую термокомпенсацию, или сложную и энергоемкую запись мемристоров в несколько приемов - и это самое простое, что люди делают, когда хотят больше 4-5 бит.
Вы совершенно точно не транслируете мнение экспертов. Просто потому, что в вашей трансляции очень много фактических ошибок. Вы, видимо, послушали экспертов, ничего не поняли и на основе случайных ключевых слов и выхваченных из контекста фактов придумали себе какую-то картину мира, имеющую мало общего с реальностью.
Cerebras - неплохая и интересная компания, но она как минимум одна из многих, а как максимум - совершенно не угрожает бизнесу Nvidia. Можете ради интереса поинтересоваться судьбой предыдущих убийц Nvidia в лице Graphcore.
Четвёртый элемент в третьем ряду на рис.15 отмечен правильно.
Все резисторы в наборе имеют топологию с центральной симметрией для уменьшения влияния внешних факторов. Если мы решили, что самый маленький резистор будет нарисован как один единичный элемент, то мы должны хотя бы расположить его близко к центру. Дальше симметричный ему элемент останется неиспользованным (поэтому он и помечен как D). Более хорошо было бы сделать в массиве больше элементов и использовать для самого маленького резистора два элемента, а не один; но это не всегда возможно из-за ограничений по площади, и я решил показать в статье интересный, как мне кажется, кейс с дыркой посреди массива.
Это очень крутая лекция, могу рекомендовать! Все, что нужно, и при этом понятно, бодро и доходчиво. Там больше часа времени, поэтому на видео очень много важных и интересных деталей, которые в мой текст не уместились (например, про направление тока в согласованных структурах).
Я не говорил, что это от резисторов зависит. Я просто привел пример того, как можно улучшить "разработанное 30 - 50 лет назад".
С технической точки зрения абсолютно так. С экономической - заказчики решают, что именно им нужно. Иногда, например, они хотят pin-to-pin заместить уже существующие чипы с улучшением параметров, а не перепроектировать всю систему, потому что мне кажется, что надо увеличить степень интеграции.
Вам правда никогда не приходилось делать проекты на техпроцессах без NVM? Вы счастливый человек!
Там можно наловить например сокращение собственного потребления на порядок, другие рабочие диапазоны напряжений и много чего еще полезного. Скажем, для DC/DC конвертеров разного рода можно наловить умение работать на более высоких частотах и, как следствие, с более дешевыми и компактными катушками.
А если оно должно быть фиксированным? Но да, есть такой прием, когда для генерации опорного напряжения используется контроллируемый источник тока и неточный резистор, дальше ток источника размножается зеркалами и разводится по кристаллу, преобразуясь в напряжение на резисторах, идентичных исходному. Это компенсирует ТКС.
Совершенно не всегда решение именно такое. Существует множество процессов без NVM/OTP, существует желание менеджмента сэкономить на OTP или на стоимости прошивки при производстве. Я бы даже сказал, что для большинства небольших дешевых чипов подстройка с OTP неприемлемо дорогая. А еще есть, например, не упомянутая в статье автокалибровка при стартапе чипа или мониторы PVT, регулирующие подстройку в реальном времени.
Ну и, разумеется, никто не будет пытаться подстраивать, скажем, резисторы в R2R-матрице, в нее ключи подстройки внесут больше погрешности, чем исправят.