Pull to refresh
45
Karma
2
Rating

Пользователь

Разработка источника питания со входным напряжением 1000В на основе карбид-кремниевых транзисторов

Нет конечно, на ILIM не больше вольта приходит. На диодах обратное напряжение большое появляется при размагничивании трансформатора тока.

Разработка источника питания со входным напряжением 1000В на основе карбид-кремниевых транзисторов

Конечно оперировать со значениями в сотни ом чревато

вот именно

И что, действительно ограничение затворного тока существенно не влияет на динамику ключа? Необходимо прямо в десятки раз увеличивать сопротивление в затворных цепях?

сам удивился таким результатам

А если использовать между микросхемой драйвера и затвором биполярные транзисторы, и пробовать управлять током?

Возможно, это и даст какой-то результат, но я честно говоря не стал бы закладывать такое решение в продакшн.

Разработка источника питания со входным напряжением 1000В на основе карбид-кремниевых транзисторов

Попытка замедлить переключение уже была предпринята - даже статью написал. https://habr.com/ru/post/543496/

Разработка источника питания со входным напряжением 1000В на основе карбид-кремниевых транзисторов

Что же касается ваших вопросов:

откуда питается источник питания для драйверов на UCC28084

От обмотки самоподпитки

какой процесс намотки трансформатора

Не вполне понятен вопрос. Использую для намотки ручной моточный станок – закрепляю каркас и мотаю. Это довольно стандартная технология.

как реализовалась изоляция

Первичная обмотка трансформатора намотана проводом в тройной изоляции (TIW). Это позволяет исключить возможность межвиткового пробоя, а также упростить конструкцию трансформатора (исключение краевых барьеров). Также есть изоляция обычной лавсановой лентой между первичкой и вторичкой.

проверялась ли изоляция

Да, на пробойной установке.

были ли произведены какие-то испытания блока

Конечно. Тепловые испытания. Многократные подачи/снятия питания под нагрузкой и на ХХ. Многократные набросы/сбросы нагрузки при различном питании. Граничные испытания с имитацией снижения ёмкости электролитов. Кроме того снимаются режимы критических элементов: силовых, находящихся под высоким напряжением и тд.

покрывалась ли плата защитными покрытиями для избежания поверхностного пробоя

Нет

считалась ли изоляция на 3кВ на зазоры на слое bottom

Необходимые значения зазоров перед трассировкой были заложены в правила проекта. Затем они проверяются DRC.

Ещё интересно обоснование раздельного ввода переменного и постоянного напряжений

Это требования ТЗ.

Разработка источника питания со входным напряжением 1000В на основе карбид-кремниевых транзисторов

Кто-то может скажет "похвалился", а кто-то "предоставил референс, не перегруженный лишними деталями".

Разработка источника питания со входным напряжением 1000В на основе карбид-кремниевых транзисторов

Получается, что подбирать то особо не из чего. Есть вариант кремниевый диод либо карбид кремния. У кремниевых обратное восстановление более-менее одинаковое у всех, а карбид-кремниевые диоды конечно сильно лучше по обратному восстановлению, но у них большое прямое падение. Поэтому получается либо больше динамические потери в случае с кремнием либо статические потери в случае карбида.

Разработка источника питания со входным напряжением 1000В на основе карбид-кремниевых транзисторов

Использовать сигнал включения в качестве питания - идея интересная, согласен. Только обычно управление от контроллера это логический сигнал (который легко развязать через оптрон), а так к нему ещё нужно будет добавить гальванически развязанное питание и его включалку.

Разработка источника питания со входным напряжением 1000В на основе карбид-кремниевых транзисторов

Получается, после трансформаторов понадобится ещё один стабилизатор. Железные трансформаторы тяжёлые - это минус.

Разработка источника питания со входным напряжением 1000В на основе карбид-кремниевых транзисторов

Там стоит типоразмер 2512, у них 300-400В максимальное напряжение, насколько помню, а там стоит 6 штук последовательно на напряжение 1000В, так что норм.

Разработка источника питания со входным напряжением 1000В на основе карбид-кремниевых транзисторов

для карбид-кремниевых мосфетов активное запирание рекомендуется, тк порог включения у них довольно низкий. Что касается полумоста, то фишка в том, что при открывании нижнего ключа верхний испытывает резкий свинг и может из-за этого открыться током, который протекает через ёмкость миллера, поэтому эта топология требовательна к активному запиранию.

Разработка источника питания со входным напряжением 1000В на основе карбид-кремниевых транзисторов

да, вполне справляется - эти параметры в ДШ на термистор прописаны - какую емкость он может зарядить. А ёмкость там не большая суммарная - не более 150 мкФ, последовательно же капы соединены.

Разработка источника питания со входным напряжением 1000В на основе карбид-кремниевых транзисторов

Компенсацию честно говоря не считал - нарисовал по схеме из ДШ.
Утилита весьма интересная, спасибо, гляну

Как один человек создал серию сложнейших приборов

К сожалению нет. Это не является первым шагом. Реализация больших проектов требует команды, инвестиций, управления и тд. В одну каску можно максимум страшный электровелик слабать :)

Meshtastic – оперативно-тактический радиочат без сотовой связи и интернета. Часть 1. Знакомство

Отличная идея! А есть инструкция как присоединиться к вашей сети?

Meshtastic – оперативно-тактический радиочат без сотовой связи и интернета. Часть 1. Знакомство

Ну почему же? Ещё Ленин говорил про захват телеграфа..

Разработка источника питания от трёхфазной сети 380В

Одиночные импульсные помехи и работа при высоком входном напряжении это не одно и то же. Одиночные помехи гасятся входным фильтром. Ну вообще если говорить про промышленной сети, то согласен, выбор транзистора "впритык" по напряжению — это не правильно.

Разработка источника питания от трёхфазной сети 380В

ну подожди, что такое лавинный пробой? это когда транзистор "съедает" часть энергии выброса (например, от индуктивности рассеяния). Если величина этой съедаемой энергии не больше чем repetetive avalanche rating этого транзистора и при этом температура кристалла в норме, то всё ок, транзистор эксплуатируется в пределах ДШ. Конечно, этот режим опасный и нужен очень грамотный подход чтобы его использовать, но тем не менее он существует.

Information

Rating
859-th
Location
Москва, Москва и Московская обл., Россия
Registered
Activity