Comments 8
Вот на какой элементной базе сделать измеритель емкости в диапазоне 0...20 пикофарад, с точностью, скажем, 0.02 пФ, если использовать американские чипы - не спортивно...
А узкоглазые "братья", похоже, еще не смогли содрать...
Надеюсь, правильно понял ваш вопрос.
Если вы про решение для тестирования SMD компонентов, то есть вот такой вариант https://vk.com@rstepand-kompleks-dlya-izmereniya-harakteristik-smd-komponentov-npk-t
Интересно, таким образом тоже эпсилон в плоскости x-y измеряется?
На рисунках 6 и 8 за ось Z скорее всего приняты разные направления. На 6-м необычное, а на 8-м более типичное, соотвествующее продольному волновому вектору kz, а не подложки. И таки да эпсилон на 8-м в плоскости xy больше всего влияет на добротности и частоту показанного резонатора. И может быть измерена наиболее точно. По тем же причинам и петли связи на рисунке 6 расположены над торцами диэлектрического резонатора.
спасибо за ваш интерес к моей статье. Я имела в виду z-ось самой подложки. Это всегда толщина, как лист или плату ни расположи. В начале статьи автор оригинала писал о том, что наибольший интерес как раз представляет значение эпсилон по оси z, в то время как большинство методов позволяет измерить эпсилон в плоскости х-у.
Спасибо за интересный перевод.
Не вполне понятно, почему методы, которые автор относит к "материальным", "обычно определяют эпсилон в определённой частотной точке".
Вполне можно мерить диэлектрические свойства материала, помещая образец в волноводный тракт, или на более высоких частотах - в квазиоптике, и там, и там нет проблем развернуть частоту хотя бы на пол-октавы.
Согласна, тут неточность у автора. Метод, при котором образец помещается в волноводную ЛП, например, упоминается в моей статье.
Измерение диэлектрической проницаемости — необходимость при создании устройств в мм-диапазоне (перевод)