В ТГУ разработали диоды на оксиде галлия для силовой электроники и радиационно стойких сенсоров

Аспирант радиофизического факультета Томского государственного университета разработал диоды нового поколения на основе оксида галлия. Разработка ведётся в центре «Перспективные технологии в микроэлектронике» (ПТМ) ТГУ. Лабораторные образцы диодов прошли первые испытания. Работа проводится при поддержке проекта «УМНИК‑Электроника».

















