Comments 57
Мне нравится)
И вопрос не в госзаказе, существует огромное количество применений, где нужна пара пластин или пара десятков пластин, а шаблоны стоят столько, что для того, чтобы их окупить, надо произвести минимум за пару тысяч пластин.
Может в свете данного утверждения кто-нибудь мне пояснить, откуда в таком случае растут ноги у гонки за размером кремниевых пластин? Если засвечивается одномоментно только такой небольшой участок пластины, то какая разница, засвечивать N раз разные участки одной пластины или N/M участков на M последовательно подаваемых в установку пластинах?
откуда в таком случае растут ноги у гонки за размером кремниевых пластин?
Я не слышал что прям гонятся за размером монокристаллического кремния, но, к примеру, размер имеет значение для фотовольтаики.
Могу ошибаться.
но если бы он этого не сделал, пришлось бы сейчас 10нм заказывать у самсунга, и так еле успели
поэтому и на 450мм перейдут со временем, потому что всё это надо окупать, а чтобы окупать, нужно тратить ещё больше
Если же каждый чип на пластине рисуется лучом индивидуально — то тут особого смысла нет.
Вот, например, видео от АСМЛ
www.youtube.com/watch?v=jH6Urfqt_d4
Реально же лупят невзирая даже на края пластины
3dnews.ru/assets/external/illustrations/2012/02/12/624466/ibm04.jpg
P.S. Оч. интрегующе выглядит и читать интересно. Отдельное и большое спасибо за статью из первых рук!
Технология полагаю позволяет, но, боюсь, маркетинг — нет.
Но мне тоже кажется что существует целый ряд препятсвий. Самыми очевидными мне кажутся проблемы юредические.
P.S. пожалуй стоит уточнить: имелись в виду не простые кастомные чипы (например для обработки сигналов), а архитектуры сложных чипов общего назначения и конкретно RISC-V и OpenRISC.
А в чем препятствия у RISC-V? Сейчас ими только ленивый не занимается.
И да, противопоставление "простых чипов для обработки сигналов" и "сложных чипов общего назначения" — это довольно смешно. В реальности обычно дело со сложностью чипов обстоит ровно наоборот. Например, простенький RISC-V стоит в дальнем углу видеокарты и занимается мониторингом, пока сложные графические ядра делают работу.
Стоимость прототипирования очень многих решений (например, на 180 нм, или на ПЛИС) уже сейчас весьма доступна небольшим командам.
Безмасочная литография должна будет помочь прототипированию на низких проектных нормах, которое сейчас доступно только при довольно больших инвестициях.
В чём продвижение технологии — чисто техническим языком? Ну если-бы смогли увеличить количество электронных линз до предельного количества — тогда да. Увеличить количество степеней свободы для каждого отдельного луча — тогда да. Придумать доступную для копирования сверхточную механику для всего этого хозяйства — тогда да.
И… Ничего этого нет…
А так- да. Перспективы, инновации, прогресс для малых партий — да это и так видно. Инструмента пока нет — только разговоры.
После чего имеем — все современные лазерные принтеры теоретически могут печатать голографическое изображение, и при этом у всех принтеров запрет на аппаратном (механическом) уровне.
После чего имеем — все современные лазерные принтеры теоретически могут печатать голографическое изображение, и при этом у всех принтеров запрет на аппаратном (механическом) уровне.
Если бы можно было на обычных принтерах так печатать, то это следовало бы аппаратно запретить (в духе нашей думы, без сарказма). Ведь это может ипользоваться как защита от подделок например в деньгах. И если в России деньги защищены хорошо, то не факт что так же дела обстоят во всех странах мира. Да и не только деньги можно подделывать.
Считаю что безмасочные технологии могут просто перевернуть рынок, особенно если получится быстро адаптировать их под производство радстойкой электроники — нормальные ПЛИСы у нас делать явно не хотят, возможно такая технология позволила бы делать радстойкие схемы значительно дешевле и быстрее, чем изготавливать маски для БМК. А это дало бы качественный рывок нашей космонавтике — сейчас без ПЛИС из США даже мирные научные миссии не могут запустить
Опять же, «нормальные ПЛИС» и «радстойкие ПЛИС» — это не одно и то же. А самое паршивое состоит в том, что не только ПЛИС не хватает, в списках ЭКБ на замещение тысячи наименований, и за годы импортозамещения ситуация принципиально не изменилась.
Как, вполне может статься, она не изменится и в случае запуска МЭЛ — потому что технология частично иностранная, и делать что-то для российской оборонки на ней будет нельзя (возможно, автор статьи меня поправит, но я сомневаюсь).
Плюс есть еще такой момент, что сама по себе эта технология не даст возможность делать космические чипы всем желающим/умеющим. Попасть в списки разрешенной ЭКБ даже сложнее, чем сделать собственно чип (и сложнее, чем найти деньги на разработку, что тоже почти нереально).
На сегодняшний день максимальный размер матрицы составляет примерно 20 мм х 20 мм, что
соответствует полю зрения сканеров
Вообще никак размер чипа не может превысить 400мм2? ЕМНИП, у nvidia были/есть чипы с большей площадью.
Или сканер не обязательно штампует одинаковую маску на каждый 20*20мм кусочек, а может подставить другую маску и с должной точностью их состыковать?
Слышал, что Маппер вошел в совместную штуку (программа, наверное правильно) с Сокудо и универом в Синчу, мне кажется отличный шаг в направлении индустриализации технологии.
P.s. И светочувствительные матрицы больше, чем стандартная область засветки (field) мы можем печатать использую обычный сканнер =) Используется техника под названием stitching… там куча своих сложностей, но широко используемый метод и известный метод ;)
Существуют же multi-project wafer shuttles, когда разные разработчики могут объединяться вместе и исполнять свои микросхемы на одной пластине, это существенно позволяет сократить затраты. Я не знаю за всю полупроводниковую индустрию, но в кремниевой фотонике, например, цены составляют порядка 2-5 тысяч евро за мм2. Но, правда, для фотоники подходят 200 мм фабрики.
Статья очень интересная, спасибо. Вообще, хотелось бы больше цифр, например, про стоимость оборудования (193нм тул от АСМЛ вроде бы стоит 27 млн евро, если не ошибаюсь, тогда сразу же понятно, почему дорого апгрейдить 200 мм фабрику, она просто никогда не окупит эти вложения), про то сколько времени занимает экспозиция целой пластины в тулах от АСМЛ и в случае с МЭЛ. Я подозреваю, что МЭЛ проигрывает очень сильно, есть опыт электронной литографии при работе с электронным микроскопом, но опять же, технология литографии в экстримальном ультрафиолете все еще находится на стадии прототипа и вообще не понятно когда и появится ли вообще в промышленности. Так что, мне кажется, можно не стесняться озвучивать эти цифры.
Сколько будет стоить МЭЛ, сказать сложно, ожидается дешевле, чем 193 нм. Цена EUV составляет $110 млн.
Хоть что-то будет на Mapper напечатано от кремния и до готового продукта (не прототипа, а продукта именно)?
Ещё в уже далёком 2014 году (более 4 лет кануло!) BarsMonster писал про Mapper и инвестиции РосНано, которые сами были в 2012 аж… За это время 90нм техпроцесс сменился 10-12 нм, а ASML запилил EUV, а у вас до сих пор даже цены на конечный девайс нету:
Сколько будет стоить МЭЛ, сказать сложно, ожидается дешевле, чем 193 нм.
Вы скажите, если Роснано денег зажало или гендира в подвале за долги держит, мы Вам накинем и рублями, и эфирами, и биткоинами, но, пожалуйста, сделайте уже работающий девайс на продажу!
PS: Просто не хочу увидеть ещё один PlasticLogic (отличная компания и по идее и по реализации) в портфеле псевдо-инновационных компаний РосНано.
Ну хорошо, вот космос, телескопы, спец.применения и малая серийность.
Что мешает АБЧ и Вашему гендиру встретиться с Рогозиным и начать делать заказы для Роскосмоса того же или военных?!
Нужна помощь в реверс-инжиниренге зарубежных чипов для ракет, ну так берите нас с Barsmonster — разрулим!;)
Это даже не касаясь таких мелочей, как то, что чипы кто-то должен разработать (а среверсить чипы по нормам для 300 мм пластинами у вас не получится, это десятки лет работы даже при наличии оборудования).
электронным лучом можно ведь быстро управлять,
Насколько быстро? Не путайте разрешение кинескопа с количеством линий на единицу площади полупроводниковой пластины.
Насколько быстро? Не путайте разрешение кинескопа с количеством линий на единицу площади полупроводниковой пластины.
Очень быстро. И с запасом достаточным для решения подобной задачи. Вероятно если бы не какие-то другие серьезные барьеры помимо скорости управления лучом не мешали. А вот какие это барьеры? Это как раз Unicat и мне было бы интересно узнать.
Разрешения кинескопа при выводе изображения и при экспозиции ПП пластины не сравнимы — это верно. Но так и скорости экспонирования тоже совершенно не сравнимы, только с перевесом на порядки уже в другую сторону. Судя по приведенным данным у вас тратится целый час на экспонирование одной небольшой по площади пластинки. Тогда как в ЭЛТ экспонируется минимум на порядок большая площадь и при этом вся эта площадь по 100 раз в секунду или даже чаще.
В результате частота строчной развертки (количество «отрисовываемых» электронным пучком линий за 1 секунду) не только сравнимы, но и в кинескопе получаются намного больше.
Последние поколения (перед вымиранием данного вида техники как более-менее массового явления, что там дальше было не интересовался) качественных ЭЛТ для мониторов могли выдавать разрешения порядка 1600 точек на 1200 линий с кадровой частотой 100-120 Гц.
Это 1200*120 = 144 кГц частоты строчной развертки или 144 тыс. линий проходимых лучом за 1 секунду. На самом деле даже несколько больше, т.к. 1200 строк это только видимых пользователю, а они не все видны при работе ЭЛТ монитора.
За час такая относительно серийная и массовая (хотя это были проф. серии мониторов, но по сравнению с современным литографическим оборудованием это все-равно массовое и дешевое производство, почти «ширпотреб») трубка могла экспонировать порядка 5 млн. отдельных линий (1200*120*3600). Управляя при этом одним единственным лучом.
У вас как понял примерно такую же задачу сейчас выполняет 1300 отдельных лучей. Т.к. пройти всю 200 мм пластину с приведенным шагом в ~40 нм это примерно те же 5 млн. линий: 200*1000*1000/40 = 5 000 000.
Так что скорость управления отдельным лучом получается на 3 порядка ниже чем в хорошей ЭЛТ. Соответственно ясно, что совсем не скорость управления является узким местом. Луч движется по поверхности относительно медленно специально, с какой-то целью.
Ниже приведена одна из версий: электорезисту на поверхности пластины нужно намного(видимо на порядки?) больше энергии электронного пучка поглотить для надежной фиксации проецируемого «рисунка», чем нужно для «засветки»(возбуждения) люминофора достаточного для его свечения в течении нескольких миллисекунд в ЭЛТ.
Тогда сразу следующий логичный вопрос: почему бы просто не повышать мощность одного луча, чтобы обрабатывать им поверхность пластины быстрее, вместо наращивания их количества работающих параллельно? Это не экстемальный ультрафиолет, электронные пучки давно научились получать практически произвольной мощности и относительно недорого.
Тут так же в в статье с попмеханики есть вероятное (а вот правильное ли?) объяснение: при увеличении тока единичного луча (кол-ва электронов вылетающих в секунду) растут сложности с его фокусировкой из-за взаимного отталкивания зарядов одного знака.
Но не ясно насколько эта проблема важна — слабый пучок(как в электронном микроскопе например) можно и до 1-2 нм в диаметре фокусировать, у вас как понимаю диаметр «пятна» порядка десятков нм — вроде есть хороший запас.
Ну и если дело все-таки в фокусировке (десятки нм как раз из-за довольно большого тока пучка, которые уже не дает фокусировать точнее) и наращивать ток дальше нельзя — почему не наращивать мощность луча с другой стороны: не через количество электронов (ток), а через их энергию (ускоряющее напряжение)?
Заодно это увеличит скорость движения электронов в пучке = сократит время их нахождения в свободном полете и снизит проблему фокусировки из-за отталкивания (меньше времени прошло = меньше луч успевает «расплыться» прежде чем достигнет цели при прочих равных)
Тут вроде явных барьеров не видно, разве что при совсем больших энергиях вероятно начнет мешать образующееся при столкновении электронов с материалом рентгеновское (тормозное) излучение…
Вот разбор таких примерно вопросов хотелось бы увидеть. Для комментариев это слишком много, но вы наверняка планируете еще не одну статью об этой технологии писать и тут публиковать, т.к. до выхода конечной продукции еще не скоро?
Если планируете, то для одной из следующих было бы очень уместно. Тут на Хабре аудитория подобные технические детали любит и ценит.
www.popmech.ru/technologies/235689-kak-delayut-protsessory-tekhnologiya-mapper-protiv-intel
13 000 телевизоров
Альтернативой фотолитографии считают электролитографию, когда экспонируют не светом, а электронами, и не фото-, а электрорезист. Электронный пучок легко фокусируется в точку минимального размера, вплоть до 1 нм. Технология напоминает электронно-лучевую трубку телевизора: сфокусированный поток электронов отклоняется управляющими катушками, рисуя изображение на кремниевой пластине.
Есть как бы и ответ на мой вопрос
Чтобы электрорезист среагировал на облучение, он должен принять определенное количество электронов на единицу площади, поэтому один луч может экспонировать в лучшем случае 1 см2/ч. Это приемлемо для единичных заказов от лабораторий, однако неприменимо в промышленности.
К сожалению, решить проблему, увеличив энергию луча, невозможно: одноименные заряды отталкиваются, поэтому при увеличении тока пучок электронов становится шире
Только из этого непонятно, нельзя ли заменить количество на качество ) т.е просто сильнее ускорять электроны, увеличив тем самым их энергию и значит засветку электрорезиста, вместо простого увеличения их числа.
Новые возможности для полупроводникового производства – многолучевая электронная литография