• Конгрессмены попросили президента США запретить продажу ПО для разработки полупроводниковых чипов Китаю
    +2

    Я думаю, что мелкие конторы которые занимаются продажами на внутренний рынок просто перейдут на пиратское ПО (не факт, что оно и сейчас у них легальное), а вот SMIC придётся сложнее, ведь они работают на внешние рынки тоже. Я думаю они просто сделают свое ПО. При наличие ресурса и "образца" это дело нескольких лет. Главная проблема это степперы, причём даже не euv: перейти с планарной технологии на финфет без апгрейда степперов невозможно.

  • Конгрессмены попросили президента США запретить продажу ПО для разработки полупроводниковых чипов Китаю
    +3

    Может быть, они и просят повторить налёт на Перл Харбор. Все помнят, что он закончился налетами на Хиросиму и Нагасаки, вот хотят ли китайцы их повторить — большой вопрос.

  • Конгрессмены попросили президента США запретить продажу ПО для разработки полупроводниковых чипов Китаю
    +2

    О, нет. Значение всякого TCAD даже для старых планарных устройств весьма значительно, если вы хотите перейти на новую или улучшить старую технологию. И без ПО разрабатывать что-то новое теоретически можно, но на практике нет. Запретить перемножать числа нельзя, но сколько у вас займёт время решить простую систему линейных уравнений на компьютере без операционной системы и без возможности её установить?

  • Как делают микропроцессоры. Польский химик, голландские монополисты и закон Мура
    0

    Нет, автор правильно все говорит: уже довольно давно названия нода у foundry компаний (производящих микросхемы на заказ): самсунга, tsmc, glofo перескочило одну ступень и стало "меньше", чем у интел. Так что интеловские 10 нм это вполне себе самсунговские 7.
    А учитывая, что физический размер самого транзистора почти не меняется, разница в плотности третьего поколения интоловского 14 нм и 7 нм у фаундри должна быть минимальна.
    А позор в том, что фаундри уже выпускают 5 нм, а у интела продолжаются проблемы с 10 (при том что их инженеры могут делать дизайн в теснейшем сотрудничестве с фабрикой и оптимизировать дизайн под нюансы процесса).

  • У TSMC и Samsung возникли серьезные проблемы с производством 3-нм чипов
    +1

    Ну очень просто, они просят предоставить им выписку по зарплате за прошлый год и обещают вдвое больше (плюс обычные квартиры и международные школы).
    Сотня, а то и больше "лишних" тысяч в год — серьёзный аргумент.

  • У TSMC и Samsung возникли серьезные проблемы с производством 3-нм чипов
    +2

    Ну и уж если придираться, картинку с фабрики надо поменять: говорите о новой технологии, а подложки-то 8 дм, оборудование старое, на нем в лучшем случае automotive или ddi чипы клепают на планарном (ну если повезло, то soi) процессе

  • У TSMC и Samsung возникли серьезные проблемы с производством 3-нм чипов
    0

    Интересно в чем конкретно проблема у тайваньцев, я думаю примерно в том же, с чем столкнулся Самсунг годом ранее: планы-то были mbcfet производить чуть ли не с 20 года изначально.

  • У TSMC и Samsung возникли серьезные проблемы с производством 3-нм чипов
    +1

    Новость-то этого года, но я думаю что все планы можно радостно переносить на год(ы) вперёд. Если в дело не вешается маркетинг, то сначала должен выйти 4нм нод, и я думаю все на том же финфете.

  • Крушение Intel состоялось
    +25

    Intel должен бояться не Apple, а как раз Nvidia: именно они сосредоточили у себя разработку и cpu и gpgpu.
    Самое смешное, что я в 2007 году лично слышал от маркетинговой шишки Интел рассказ о том, что будущее за носимым компьютером/телефоном и что это будет главный рынок. Забавно, что, все понимая, эти этот рынок проспали.

  • Южная Корея глазами российского студента
    0

    Да ладно, чтобы уж совсем прямые и тоннель/мост это только новые дороги в сторону японского восточного моря.

  • Южная Корея глазами российского студента
    0

    Ха, приложение на мак не до конца поставилось!
    Да несколько лет назад, без допотопного activex и internet explorer 9 половина сайтов с идентификацией личности (то есть 90% корейских сайтов, ибо интернет тут по паспорту) не работала.
    И до сих пор, чтобы избежать головной боли при покупках и банковских операциях: только эксплорер, только хардкор.
    Это вам ещё повезло, что не нарвались на проблемы с несоответствием имени, написанного в одном месте хангылем, а в другой латиницей, но слитно с фамилией и без пробелов :))

  • 7 нм техпроцесс в чипах: Померяемся нанометрами? РАЗБОР
    +1

    Я понимаю, что обзор Вы вряд ли сами писали, но для человека, который пытается объяснить технологию популярно довольно странно делать ляп с ТСМСишой ТЕМ картинкой: на ней фины порезанный поперёк и 8 нм — это "ширина" канала, а не его длина (которая как раз когда-то давно и обозначала поколение технологии).
    Если бы Вы удосужились найти картинку с разрезом вдоль транзистора, вы бы увидели, что длина канала наномертов 15, а всего транзистора — нанометров 60 примерно. Ширина же финов мало меняется с поколением последние годы (примерно с 10 нм у foundry компаний): 10,8,7,6,5 нм — все эти технологии имеют практически одинаковые толщины.

  • Проектные нормы в микроэлектронике: где на самом деле 7 нанометров в технологии 7 нм?
    0
    Вы правы, сложно разделить размеры: физическую минимальную длину канала одного транзистора (которая уже почти не меняется), число финов в транзисторе (то есть эффективную ширину), расстояние между финами и расстояние между гейтами.
    Там что реально транзистор у тайваньцев может быть и одним и тем же, а игра вестись вокруг fin-to-fin pitch и contacted poly pitch.
    Но обычно по нынешним временам еще активно меняют рецепты и всякие структурные параметры: размеры спейсеров и тп.
    То ли еще будет, когда (и если) следующая архитектура выйдет: там параметров еще больше и как плотность считать (и как ее сравнить с финами) еще менее понятно.
  • Проектные нормы в микроэлектронике: где на самом деле 7 нанометров в технологии 7 нм?
    +1
    Арсенид галлия и прочие 3-5 не взлетят потому что окно возможностей было упущено. Эти материалы могли бы помочь на 100 нм, когда канал транзистора был не баллистическим. Теперь гораздо важнее не подвижность, а чисто состояний (которое у всех материалов с высокой подвижностью как раз низкое).
    Материалы как раз будут меняться, но не материал подложки, естественно.
    Но в материалах как раз есть перспективы — чтобы сделать ту же nanowire рабочим вариантом надо решить много именно материаловедческих проблем.
  • Проектные нормы в микроэлектронике: где на самом деле 7 нанометров в технологии 7 нм?
    0
    Очень хорошо написанная статья, но все же пассаж про «ширину плавника» в 8 нм и ее связь с нормами производства просто глаз резанула, особенно на фоне хорошего уровня остального текста.
    Толщина фина берется просто из соображений оптимизации транспорта (квантового) в канале и из соображений механический прочности и к нормам технологии уж совсем никакого отношения не имеет: маски-то с таким маленьким питчем там и в помине нет.
  • 5-нм на подходе — когда ждать новый техпроцесс
    +2

    Ну в той статье, неплохой кстати, это место было вообще не в тему: ширина фина к нормам производства и плотности транзисторов не имеет отношения (вернее имеет, но очень сложное): она определяется ограничениями, связанными с квантовой физикой (которая определяет распределения плотоности тока в канале в таким маленьких системах) и механическими свойствами: фин надо делать повыше, но если он слишком тонок, он просто сломается.

  • 5-нм на подходе — когда ждать новый техпроцесс
    +2

    Про литографию, немного странно: 193 нм используют уже много лет, скорее бы стоило написать, что она иммерсионная и с четырехкратным экспонированием.


    И, конечно, не переход к EUV позволил улучшить характеристики транзисторов, а просто набор performance knobs: различных приемов оптимизации структур, распределений стресса и примесей и тп.
    EUV дает чисто финансовый плюс: можно вместо сложной многократной экспозиции сделать все за один раз. Но процесс крайне медленный и дорогой, так что пока не ясно, войдет ли он в технологию действительно, хотя и тайваньцы и корейцы и американцы делают на него ставку.

  • This is Science: 3D электронная литография в массы
    0
    Один вопрос: какой там throughput?
    я так подозреваю, что очень небольшой, а даже для EUVL уже добились десятков «вафель» в час.

    Для университетов и мелких стартапов, где людям надо сделать что-то относительно тонкое «на коленке» это, конечно, интересно, но для индустрии — не очень…
  • Samsung запускает производство первой в отрасли флеш-памяти 3D V-NAND, имеющей 32 слоя ячеек памяти
    0
    Боюсь, что сейчас начнется очередной виток ценовой войны, так что цены будут падать гораздо быстрее.
    Уже сегодня 256 гб стоят около 150 долларов, и если Самсунговская технология действительно взлетит (а так, скорее всего и выйдет), то конкуренты подтянутся а 2015 году, и я думаю, что через год-полтора цены упадут в 2-2.5 раза, к сожалению.
  • Samsung запускает производство первой в отрасли флеш-памяти 3D V-NAND, имеющей 32 слоя ячеек памяти
    +1
    Хитрость этой технологии в том, что она действительно 3Д — транзисторы расположены не в плоскостях, а вертикально. Это и позволяет экономить при производстве: один литографический процесс создает сразу 24-32-… транзистора, а не один, как если бы делались стеки плоских слоев с ячейками памяти.
  • Samsung запускает производство первой в отрасли флеш-памяти 3D V-NAND, имеющей 32 слоя ячеек памяти
    0
    Лучше (ну, скорее — не хуже), чем у обычной.

    Я думаю, там 2-3 бита на ячейку (как у всех), а больший физический размер каждой ячейки делает их более надежными.
    Все остальное упирается в контроллер — а это тоже, как у всех.
  • Samsung представила 3D-память, Crossbar заявила о прорыве в RRAM
    +2
    Там все несколько сложнее.
    Я постараюсь написать обзор в ближайшее время по опубликованным данным.
  • Samsung представила 3D-память, Crossbar заявила о прорыве в RRAM
    +1
    Пока без комментария, там очень много вариантов и все очень секретно.
    Я постараюсь на неделе почитать опубликованную литературу и написать обзор по открытым данным.
  • Samsung представила 3D-память, Crossbar заявила о прорыве в RRAM
    +1
    TSV это просто, условно, провода, которые соединяют микросхемы, но идут не от края чипа, как обычно, а через него. Они толстые (микроны) и у них aspect ratio порядка 10+. В вертикальных NAND размеры нанометровые.

    Достижение в том, что это радикальная смена дизайна ячейки, который мало менялся за последние 20 лет.
  • Samsung представила 3D-память, Crossbar заявила о прорыве в RRAM
    +2
    Да, примерно так.
    Если раньше был огромный ящик с бутылками, то его сначала разделили на секции 24*24, и каждую из них поставили на попа и придвинули друг к другу.
    Только из-за того, что это не Floating gate, а charge trap flash, вместе бутылок в ящиках консервные банки (и ящики из-за этого низкие), поэтому они стали занимать гораздо меньше места после такой операции.
  • Samsung представила 3D-память, Crossbar заявила о прорыве в RRAM
    +1
    Да, представляю. Тепло не является лимитирующим фактором. Все прекрасно отводится. Слоев 24 не потому что греется, а потому что дырки травить сложно и дорого.

    В PRAM ячейка вообще плавится при переключении, и ничего, все работает (хотя технология и мертворожденная).
  • Samsung представила 3D-память, Crossbar заявила о прорыве в RRAM
    +1
    В NVM проблема тепловыделения не стоит так остро, потому что нет постоянного переключения, как в SRAM, DRAM или логике.
    Есть прототипы сверхнадежных SSD, которые «лечат» сами себя, проводя отжиг отдельных блоков при температурах около 200 С (отжигают часами). Лимитирует тут только температура плавления припоя — сами ячейки будут жить и и при гораздо больших температурах (см. ссылку выше)
  • Samsung представила 3D-память, Crossbar заявила о прорыве в RRAM
    +1
    Нет, вы не совсем правильно понимаете: TSV процесс подразумевает соединение нескольких подложек, на каждой из которых сделан свой слой транзисторов (пямять, логика, и тп).
    Принципиальное отличие Vetrical NAND в том, что трехмерная структура делается из одной подложки.
    Ну и характеристики дырок, которые делаются (диаметр, aspect ratio) несколько разные.

    Кроме того, если говорить о V NAND, то в нем транзисторы расположены горизонтально, а не вертикально, как было бы при интеграции обычным TSV методом.
  • Samsung представила 3D-память, Crossbar заявила о прорыве в RRAM
    +1
    Полупроводниковых.
    В 2011 году Интел представил по-настоящему трехмерный логический транзистор, но даже по сравнению с этим Vertical NAND, на мой взгляд, более инновационное изменение техпроцесса.
  • Samsung представила 3D-память, Crossbar заявила о прорыве в RRAM
    +1
    Поверьте, после 7 лет моделирования технологических процессов в полупроводниковом производстве и неплохо знаю, из чего состоит транзистор (что логический, что ячейка CTF памяти).
    Речь шла, конечно, о локальном отжиге (парсер съел ссылку)

    Но тем не менее: тепловыделение не является проблемой для этой технологии, вообще — cейчас у коллеги специально спросил (я все больше логикой занимаюсь, так что конкретных цифр не знаю наизусть).
  • Samsung представила 3D-память, Crossbar заявила о прорыве в RRAM
    +2
    Я знаю, я читал этого релиз до того как он появился на EETimes.
    Пресс релиз не очень хороший, на мой взгляд, потому что он содержит смесь из профессионального сленга и упрощенных и не совсем точных объяснений принципов работы (впрочем, в кратком пресс-релизе сложно все корректно описать).
    Я пожалуй напишу про эту технологию, потому что это самый большой прорыв за последние лет 5.
  • Samsung представила 3D-память, Crossbar заявила о прорыве в RRAM
    +1
    Для увеличения времени жизни NAND чипов некоторые горячие головы предлагают встраивать систему локального отжига до 800 С прямо в чипы .

    Греется (и ломается от этого) там логика, но с случае с 3D NAND и это не проблема.
  • Samsung представила 3D-память, Crossbar заявила о прорыве в RRAM
    +2
    И именно поэтому технология 3D NAND так интересна — это НЕ стек чипов и имеет мало общего с TSV
  • Samsung представила 3D-память, Crossbar заявила о прорыве в RRAM
    +2
    3D NAND и TVS это сильно разные технологии. Как размеры так и плотность дырок совершенно разные.
    Это принципиально трехмерная структура, а не стек.
  • Samsung представила 3D-память, Crossbar заявила о прорыве в RRAM
    +1
    У флеш памяти нет проблем с отводом тепла.
    Более того, при правильном отжиге можно восстановить часть «умерших» битов
  • Samsung представила 3D-память, Crossbar заявила о прорыве в RRAM
    +1
    Это просто перевод пресс-релиза, там так и написано.
    Штука в том, что многие (ну как многие, там их всего 5 штук) компании были (почти) готовы запустить 3Д чипы. Но первыми это сделали именно в Самсунге
  • Как Samsung съела индустрию смартфонов – и теперь угрожает Google
    +1
    До заказов Эппла подразделение LSI было убыточным (в лучшем случае почти в ноль отбивались).
    Сейчас, впрочем, раскрутились.
  • Как Samsung съела индустрию смартфонов – и теперь угрожает Google
    0
    Самсунг Электроникс был как бы мировым лидером до начала работы с Эпплом (память, экраны).
    Единственное, кто отъелся это один вечно убыточный отдел. Но в принципе и он мог бы продолжать нести убытки — в этом сила конгломерата.
    Вот то, что раскрыли IP для Самсунговуой фаундри это был риск. Не расчитали.
  • Как Samsung съела индустрию смартфонов – и теперь угрожает Google
    +1
    И все-таки, есть довольно обоснованное мнение, что Эппл сильно прогадала погнавшись за дешевизной и заказав производство своих процессоров корейцам (для Эппла были мегаскидки).
  • Как Samsung съела индустрию смартфонов – и теперь угрожает Google
    0
    Обязательно повторит, судьбу Нокиа, рано или поздно. Вернее, мобильные телефоны перестанут быть основной дойной коровой для Самсунга.

    Поэтому они уже сейчас серьезно вкладываются в LED и био.